英特尔称明年下半年转向3nm芯片生产

据报道，英特尔称明年下半年转向3nm芯片据外媒报道，英特尔副总裁、负责技术研发的AnnKelleher在近日的一场发布会上表示：“我们已完全走上了正轨”。Kelleher透露，目前英特尔正在量产7nm制程，已准备好开始生产4nm制程芯片，计划明年下半年转向3nm制程芯片。

按照英特尔的规划，英特尔3nm工艺将在2023年H2量产，再往后就是2024上半年的20A工艺，2024年的18A工艺，等效2nm、1.8nm工艺，还会引入RibbonFET晶体管及PowerVias背面供电两种黑科技。

此前，英特尔CEO帕特・基辛格曾表示，人们长期以来一直怀疑摩尔定律的“寿命”，但“摩尔定律还将继续向前发展。“摩尔定律很有效，至少在未来的十年里依然有效”。

据其介绍，英特尔已经制定了在4年内交付5个节点的大胆计划。Intel18A制程PDK0.3版本现在已经被早期设计客户采用，测试芯片正在设计中，将于年底流片。凭借RibbonFET、PowerVia两大突破性技术，High-NA光刻机等先进技术，英特尔希望到2030年在一个芯片封装上可以有1万亿个晶体管。

“英特尔和英特尔代工服务将开创系统级代工的时代”，这一模式由四个主要部分组成：晶圆制造、封装、软件和开放的芯粒生态系统。“曾经被认为不可能实现的创新已经为芯片制造带来了全新可能”，帕特·基辛格表示。

在英特尔之外，包括三星、台积电在内的多家芯片厂商都在今年早些时候宣布转向3nm研发。

今年6月，三星宣布全球率先量产3nm，在“2022年半导体EUV全球生态系统会议”上，三星电子Foundry代工部门高级研究员朴炳宰表示，到2026年，全球3nm工艺节点代工市场将达到242亿美元规模，较今年的12亿美元增长将超20倍。

台积电量产3nm经过一波三折后，年底终于逐渐步入正轨。根据台积电之前的消息，3nm节点上至少有5代衍生版工艺，分别是N3、N3P、N3S、N3X及N3E，其中N3工艺是最早量产的。对比N5工艺，N3功耗可降低约25-30％，性能可提升10-15％，晶体管密度提升约70％。