美光232层堆栈的TLC闪存正式量产

据报道，7月27日消息，今年5月，存储芯片大厂美光（Micron）发布了业界首个232层堆栈的3DNAND芯片，昨日晚间，美光宣布其232层堆栈的TLC闪存正式量产。这是全球首个量产的超过200层的闪存，也是业界密度最高的，接口速度提升到2.4GB/s，写入速度提升100%。

美光技术和产品执行副总裁ScottDeBoer表示232层闪存是存储芯片创新的分水岭，首次证明了3D闪存有扩展到200层以上的能力。

具体来说，这款232层堆栈的3DNAND采用的是3DTLC架构，原始容量为1Tb（128GB），该存储器基于美光的CuA架构，并使用NAND字符串堆栈技术，在彼此的顶部建立两个3DNAND阵列。

而在CuA设计的232层堆栈的3DNANDFlash中，将大大减少美光1Tb3DTLCNANDFlash的尺寸，提升存储密度。

据介绍，该232层TLC闪存是有史以来密度最高的，达到了14.6Gb/mm2，比当前的TLC闪存高出35-100%，而且232层闪存使用了11.5×13.5mm封装，尺寸比前代产品小了28%，是市面上最小面积的高密度闪存，可以减少对电路板空间的占用。同时有利于降低生产成本。

该232层闪存还是全球首个六平面TLC闪存，在TLC闪存中平面最多，而且每个平面都可以独立读取，高IO速度、低延迟及六平面结构相结合使得232层闪存可以提供一流的数据传输能力。

美光表示其232层TLC闪存引入了业内最快的IO速度，可达2.4GB/s，比上代的176层闪存高出50%，同时写入带宽提升100%，读取带宽提升75%。

此外，美光的232层闪存还是首款支持NV-LPDDR4，后者是一种低压接口，相比之前的I/O接口，每比特的能效提升30%以上。

目前美光的232层闪存已经在新加披工厂量产，最初会由美光旗下的英睿达品牌推出消费级SSD，后续将会推出其他产品。